Name: SIR610DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR610DP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.9036 EUR
Availability: OutOfStock

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SIR610DP-T1-RE3
Codice DigiKey	SIR610DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR610DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR610DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR610DP-T1-RE3
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 35,4 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIR610DP-T1-RE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V
Serie ThunderFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1380 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35,4 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SIR610
RDSon (max) a Id, Vgs 31,9mohm a 10A, 10V