Name: QS8J4TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J4TR-ND
Price: 1.8178 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

QS8J4TR
Codice DigiKey	QS8J4TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS8J4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS8J4DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	QS8J4TR
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 4A 550mW A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	QS8J4TR Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 800pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 550mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4A	Codice componente base QS8J4
RDSon (max) a Id, Vgs 56mohm a 4A, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 2 418

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,49000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,81780

QS8J4TR