Name: SISS94DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS94DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SISS94DN-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SISS94DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS94DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS94DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISS94DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 5,4A (Ta), 19,5A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SISS94DN-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 350 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,4A (Ta), 19,5A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SISS94
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 5,4A, 10V