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SIHB22N60E-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB22N60E-E3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB22N60E-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1920 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 11A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (18)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB20S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 365 | 785-1247-1-ND | € 4,11000 | Simile |
| AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 9 886 | 785-1248-1-ND | € 4,82000 | Simile |
| FCB20N60FTM | onsemi | 1 795 | FCB20N60FTMCT-ND | € 5,97000 | Simile |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1 095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | € 3,60000 | Simile |
| IPB60R160P6ATMA1 | Infineon Technologies | 139 | 448-IPB60R160P6ATMA1CT-ND | € 3,48000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,57232 | € 1 572,32 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,57232 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,91823 |
