


IPB60R160P6ATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB60R160P6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB60R160P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB60R160P6ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 23,8 A (Tc) 176W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB60R160P6ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 160mohm a 9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 750µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2080 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 176W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,30000 | € 3,30 |
| 10 | € 2,16400 | € 21,64 |
| 100 | € 1,51670 | € 151,67 |
| 500 | € 1,34644 | € 673,22 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,11725 | € 1 117,25 |
| 2 000 | € 1,10003 | € 2 200,06 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,02600 |








