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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

Codice DigiKey
SIHB12N60E-GE3-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHB12N60E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
937 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
147W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
SIHB12
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Quantità
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Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,43000€ 2,43
10€ 1,56900€ 15,69
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,43000
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