Name: SI3433CDV-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI3433CDV-T1-BE3TR-ND
Price: 0.8052 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI3433CDV-T1-BE3
Codice DigiKey	742-SI3433CDV-T1-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI3433CDV-T1-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI3433CDV-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3433CDV-T1-BE3
Descrizione	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 5,2A (Ta), 6A (Tc) 1,6W (Ta), 3,3W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,2A (Ta), 6A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	38mohm a 5,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	45 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1300 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Ta), 3,3W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 4 910

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)