Name: STL11N3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-11099-2-ND
Price: 1.6714 EUR
Availability: InStock

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STL11N3LLH6
Codice DigiKey	497-11099-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-11099-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-11099-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STL11N3LLH6
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 11 A (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STL11N3LLH6 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,5mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1690 pF @ 24 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerFlat™ (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	STL11