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SIS412DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS412DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 12 A (Tc) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS412DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 435 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 7,8A, 10V |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,87000 | € 0,87 |
| 10 | € 0,54100 | € 5,41 |
| 100 | € 0,35170 | € 35,17 |
| 500 | € 0,27048 | € 135,24 |
| 1 000 | € 0,24432 | € 244,32 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,21107 | € 633,21 |
| 6 000 | € 0,19433 | € 1 165,98 |
| 9 000 | € 0,18580 | € 1 672,20 |
| 15 000 | € 0,17621 | € 2 643,15 |
| 21 000 | € 0,17054 | € 3 581,34 |
| 30 000 | € 0,16503 | € 4 950,90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,87000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,06140 |
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