
SI7617DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7617DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7617DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7617DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7617DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 35 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7617DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 59 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 12,3mohm a 13,9A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,27000 | € 1,27 |
| 10 | € 0,79900 | € 7,99 |
| 100 | € 0,52980 | € 52,98 |
| 500 | € 0,41412 | € 207,06 |
| 1 000 | € 0,37687 | € 376,87 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,32957 | € 988,71 |
| 6 000 | € 0,30577 | € 1 834,62 |
| 9 000 | € 0,29364 | € 2 642,76 |
| 15 000 | € 0,28002 | € 4 200,30 |
| 21 000 | € 0,27195 | € 5 710,95 |
| 30 000 | € 0,27091 | € 8 127,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,27000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,54940 |







