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SI2333DS-T1-E3 è obsoleto e non è più in produzione.
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SI2333DS-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI2333DS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2333DS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2333DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2333DS-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 12 V 4,1 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2333DS-T1-E3 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 4.5 V |
Serie | Vgs (max) ±8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100 pF @ 6 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 12 V | Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 5,3A, 4,5V |
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Sostituti (11)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2333CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | 35 537 | SI2333CDS-T1-E3CT-ND | € 1,03000 | Diretto |
| SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 19 803 | SI2333DDS-T1-GE3CT-ND | € 0,65000 | Consigliato dal produttore |
| DMP1045U-7 | Diodes Incorporated | 10 823 | DMP1045U-7DICT-ND | € 0,41000 | Simile |
| FDN306P | onsemi | 42 465 | FDN306PCT-ND | € 0,64000 | Simile |
| PJA3415A_R1_00001 | Panjit International Inc. | 8 999 | 3757-PJA3415A_R1_00001CT-ND | € 0,31000 | Simile |
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