Name: FDN306P
Brand: onsemi
SKU: FDN306PTR-ND
Price: 0.7808 EUR
Availability: InStock

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FDN306P
Codice DigiKey	FDN306PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDN306PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDN306PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDN306P
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 2,6 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1138 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,6 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base FDN306
RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 2,6A, 4,5V