Name: SI2333CDS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2333CDS-T1-E3TR-ND
Price: 1.2566 EUR
Availability: InStock

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SI2333CDS-T1-E3
Codice DigiKey	SI2333CDS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2333CDS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2333CDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2333CDS-T1-E3
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 7,1 A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1225 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,1 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SI2333
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 5,1A, 4,5V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI2333CDS-T1-BE3	Vishay Siliconix	198	742-SI2333CDS-T1-BE3CT-ND	€ 1,03000	Diretto
RQ5A020ZPTL	Rohm Semiconductor	1 594	RQ5A020ZPTLCT-ND	€ 0,71000	Simile
RQ5A025ZPTL	Rohm Semiconductor	2 610	RQ5A025ZPTLCT-ND	€ 0,82000	Simile
RQ5A030APTL	Rohm Semiconductor	13 293	RQ5A030APTLCT-ND	€ 0,51000	Simile
RZF020P01TL	Rohm Semiconductor	6 187	RZF020P01TLCT-ND	€ 0,76000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)