SI2315BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SI2315BDS-T1-GE3
Codice DigiKey	SI2315BDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2315BDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2315BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2315BDS-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 3 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 715 pF @ 6 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V	Codice componente base SI2315
RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 3,85A, 4,5V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI2333DDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	19 183	SI2333DDS-T1-GE3CT-ND	€ 0,65000	Consigliato dal produttore
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