Name: TW092V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW092V65CLQTR-ND
Price: 24.9002 EUR
Availability: InStock

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TW092V65C,LQ
Codice DigiKey	264-TW092V65CLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TW092V65CLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TW092V65C,LQ
Descrizione	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 27 A (Tc) 111W (Tc) A montaggio superficiale 4-DFN-EP (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 600µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +25V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 873 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 111W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 27 A (Tc)	Contenitore del fornitore 4-DFN-EP (8x8)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro 4-VSFN piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 136mohm a 15A, 18V