Name: TW027U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027U65CRQTR-ND
Price: 44.1518 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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TW027U65C,RQ
Codice DigiKey	264-TW027U65CRQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TW027U65CRQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TW027U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TW027U65C,RQ
Descrizione	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 57 A (Tc) 156W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 3mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +25V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2288 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 57 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 29A, 18V