Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 3.1842 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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TPM1R908QM,LQ
Codice DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPM1R908QM,LQ
Descrizione	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,9mohm a 70A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 3,5V a 1,2mA
Serie U-MOSX-H	Carica del gate (Qg) max a Vgs 108 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10500 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 250W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 26A (Ta), 238A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN