Name: XP263N1001TR-G
Brand: Torex Semiconductor Ltd
SKU: 893-XP263N1001TR-GTR-ND
Price: 0.5002 EUR
Availability: InStock

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XP263N1001TR-G
Codice DigiKey	893-XP263N1001TR-GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 893-XP263N1001TR-GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 893-XP263N1001TR-GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Torex Semiconductor Ltd
Codice produttore	XP263N1001TR-G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 1 A (Ta) 400mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Torex Semiconductor Ltd
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	250mohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	180 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	XP263

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Nastrato in bobina (TR)