Name: RS1L151ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1L151ATTB1TR-ND
Price: 4.0626 EUR
Availability: InStock

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RS1L151ATTB1
Codice DigiKey	846-RS1L151ATTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RS1L151ATTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RS1L151ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS1L151ATTB1
Descrizione	PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 56 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RS1L151ATTB1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	56 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11,3mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6900 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-HSOP
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	RS1L