Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14718-2-ND
Price: 6.4538 EUR
Availability: InStock

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STH315N10F7-2
Codice DigiKey	497-14718-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-14718-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-14718-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STH315N10F7-2
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,3mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	12800 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	315W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	H2PAK-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	STH315

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,29000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,45380

STH315N10F7-2