Name: IPB120N10S403ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB120N10S403ATMA1TR-ND
Price: 5.3558 EUR
Availability: InStock

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IPB120N10S403ATMA1
Codice DigiKey	448-IPB120N10S403ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB120N10S403ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB120N10S403ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB120N10S403ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB120N10S403ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 140 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10120 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 3,5mohm a 100A, 10V	Codice componente base IPB120
Vgs(th) max a Id 3,5V a 180µA