Name: STH315N10F7-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14719-2-ND
Price: 5.612 EUR
Availability: InStock

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STH315N10F7-6
Codice DigiKey	497-14719-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-14719-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-14719-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STH315N10F7-6
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STH315N10F7-6 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 180 nC @ 10 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) ±20V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12800 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 315W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 180 A (Tc)	Contenitore del fornitore H2PAK-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 60A, 10V	Codice componente base STH315
Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA