Name: STB37N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16105-2-ND
Price: 8.54 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

STB37N60DM2AG
Codice DigiKey	497-16105-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-16105-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-16105-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB37N60DM2AG
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 28 A (Tc) 210W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB37N60DM2AG Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 54 nC @ 10 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) ±25V
Serie MDmesh™ DM2	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2400 pF @ 100 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 14A, 10V	Codice componente base STB37
Vgs(th) max a Id 5V a 250µA