Impostazioni
Consegna rapida
Spedizione gratuita
Incoterms
Modalità di pagamento
Prodotto Marketplace
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SIHB100N60E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB100N60E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB100N60E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1851 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 13A, 10V |
Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto
Documenti e risorse multimediali
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 658
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 5,35000 | € 5,35 |
| 50 | € 2,82140 | € 141,07 |
| 100 | € 2,57700 | € 257,70 |
| 500 | € 2,14922 | € 1 074,61 |
| 1 000 | € 2,01190 | € 2 011,90 |
| 2 000 | € 1,93565 | € 3 871,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 5,35000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 6,52700 |
Ti potrebbe anche interessareVedi tutto
10 Articoli
