Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18244-2-ND
Price: 6.0878 EUR
Availability: InStock

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STB35N65DM2
Codice DigiKey	497-18244-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-18244-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB35N65DM2
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 28 A (Tc) 210W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB35N65DM2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 54 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ M2	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2400 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB35
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 14A, 10V