Name: SCT025H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025H120G3AGTR-ND
Price: 18.0804 EUR
Availability: InStock

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SCT025H120G3AG
Codice DigiKey	497-SCT025H120G3AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-SCT025H120G3AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-SCT025H120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCT025H120G3AG
Descrizione	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 55 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	55 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	37mohm a 25A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,2V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	73 nC @ 18 V
Vgs (max)	+18V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1990 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	H2PAK-7
Contenitore/involucro	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 14,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 18,08040

SCT025H120G3AG