Name: SCT025H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025H120G3AGTR-ND
Price: 19.032 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT025H120G3AG
Codice DigiKey	497-SCT025H120G3AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-SCT025H120G3AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-SCT025H120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCT025H120G3AG
Descrizione	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 55 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 73 nC @ 18 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) +18V, -5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1990 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 55 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore del fornitore H2PAK-7
RDSon (max) a Id, Vgs 37mohm a 25A, 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Vgs(th) max a Id 4,2V a 5mA