Name: RV2E014AJT2CL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RV2E014AJT2CLTR-ND
Price: 0.2684 EUR
Availability: OutOfStock

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RV2E014AJT2CL
Codice DigiKey	846-RV2E014AJT2CLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RV2E014AJT2CLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RV2E014AJT2CLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RV2E014AJT2CL
Descrizione	NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 700mA (Ta) 400mW (Ta) A montaggio superficiale DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RV2E014AJT2CL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	700mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	290mohm a 1,4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 1mA
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	105 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DFN1006-3
Contenitore/involucro	3-XFDFN

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Nastrato in bobina (TR)