


RQ3L050GNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RQ3L050GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3L050GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3L050GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RQ3L050GNTB |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 12 A (Tc) 14.8W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RQ3L050GNTB Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 61mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 25µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 2.8 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 300 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 14.8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-HSMT (3,2x3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,05000 | € 1,05 |
| 10 | € 0,66000 | € 6,60 |
| 100 | € 0,43440 | € 43,44 |
| 500 | € 0,33754 | € 168,77 |
| 1 000 | € 0,30635 | € 306,35 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,26674 | € 800,22 |
| 6 000 | € 0,24680 | € 1 480,80 |
| 9 000 | € 0,23664 | € 2 129,76 |
| 15 000 | € 0,22780 | € 3 417,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,28100 |




