Name: RQ7E110AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ7E110AJTCRTR-ND
Price: 1.6592 EUR
Availability: InStock

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RQ7E110AJTCR
Codice DigiKey	RQ7E110AJTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ7E110AJTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ7E110AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ7E110AJTCR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 11 A (Tc) 1,5W (Tc) A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ7E110AJTCR Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 10mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2410 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Tc)	Contenitore del fornitore TSMT8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V	Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 4,5A, 11V	Codice componente base RQ7E110