Name: DMN6069SFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6069SFG-13-ND
Price: 0.28072 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN6069SFG-13
Codice DigiKey	DMN6069SFG-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN6069SFG-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 5,6 A (Ta), 18 A (Tc) 930mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1480 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 930mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,6 A (Ta), 18 A (Tc)	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base DMN6069

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN6069SFG-7	Diodes Incorporated	297	DMN6069SFG-7DICT-ND	€ 0,97000	Equivalente parametrico

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3 000	€ 0,23010	€ 690,30

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Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,28072

DMN6069SFG-13