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R6076MNZ1C9 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
R6076MNZ1C9 | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6076MNZ1C9-ND |
Produttore | |
Codice produttore | R6076MNZ1C9 |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 76 A (Tc) 740W (Tc) Foro passante TO-247 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6076MNZ1C9 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 115 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7000 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 740W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 55mohm a 38A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6070JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 484 | 846-R6070JNZ4C13-ND | € 16,17000 | Simile |
| RBR3LAM30ATR | Rohm Semiconductor | 1 044 | RBR3LAM30ACT-ND | € 0,57000 | Simile |
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5 072 | 238-IXFH60N65X2-ND | € 13,10000 | Simile |
| IXFX80N60P3 | IXYS | 188 | IXFX80N60P3-ND | € 20,58000 | Simile |
| SIHG47N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG47N60E-GE3-ND | € 9,50000 | Simile |
Obsoleto
