Canale N 30 V 25 A (Ta) 15W (Tc) A montaggio superficiale 8-HWSON (3,3x3,3)
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Canale N 30 V 25 A (Ta) 15W (Tc) A montaggio superficiale 8-HWSON (3,3x3,3)
8 HWSON

RJK03M5DNS-00#J5

Codice DigiKey
RJK03M5DNS-00#J5TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RJK03M5DNS-00#J5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
RJK03M5DNS-00#J5
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 25 A (Ta) 15W (Tc) A montaggio superficiale 8-HWSON (3,3x3,3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RJK03M5DNS-00#J5 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1890 pF @ 10 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
15W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Contenitore del fornitore
8-HWSON (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
6,3mohm a 12,5A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 7 826
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,61000€ 1,61
10€ 1,02100€ 10,21
100€ 0,68490€ 68,49
500€ 0,54094€ 270,47
1 000€ 0,49462€ 494,62
2 000€ 0,46033€ 920,66
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 0,41352€ 2 067,60
10 000€ 0,38749€ 3 874,90
15 000€ 0,37608€ 5 641,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,61000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,96420