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NP90N06VLG-E1-AY è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
NP90N06VLG-E1-AY | |
|---|---|
Codice DigiKey | NP90N06VLG-E1-AYTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NP90N06VLG-E1-AY |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 90A TO252 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 90 A (Tc) 1,2W (Ta), 105W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NP90N06VLG-E1-AY Modelli |
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 135 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6900 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 1,2W (Ta), 105W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore TO-252 |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,8mohm a 45A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD10AN06A0 | onsemi | 3 057 | FDD10AN06A0CT-ND | € 2,50000 | Simile |
| IPD50N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | 2 268 | IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND | € 0,45044 | Simile |
| IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies | 20 094 | IRFR1018ETRPBFCT-ND | € 1,67000 | Simile |
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | 469 | IRFR7546TRPBFCT-ND | € 1,44000 | Simile |
| IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies | 337 | 448-IRLR3636TRLPBFCT-ND | € 2,35000 | Simile |
Obsoleto
