Name: FDD10AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDD10AN06A0TR-ND
Price: 3.0866 EUR
Availability: InStock

FDD10AN06A0
Codice DigiKey	FDD10AN06A0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD10AN06A0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD10AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD10AN06A0
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 11 A (Ta), 50 A (Tc) 135W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD10AN06A0 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Ta), 50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10,5mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1840 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	135W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FDD10AN06

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,71078	€ 1 776,95
5 000	€ 0,70031	€ 3 501,55

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,53000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,08660

FDD10AN06A0