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IPD50N06S4L08ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N06S4L08ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 50 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 64 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±16V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4780 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,8mohm a 50A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,2V a 35µA |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD50N06S4L08ATMA2 | Infineon Technologies | 4 830 | 448-IPD50N06S4L08ATMA2CT-ND | € 1,80000 | Diretto |
| IRFR2307ZTRLPBF | Infineon Technologies | 5 888 | 448-IRFR2307ZTRLPBFCT-ND | € 2,27000 | Simile |
| IRFR2405TRLPBF | Infineon Technologies | 300 | 448-IRFR2405TRLPBFCT-ND | € 2,08000 | Simile |
| IRFR2405TRPBF | Infineon Technologies | 34 406 | IRFR2405PBFCT-ND | € 2,13000 | Simile |
| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | 28 574 | IRFR3806TRPBFCT-ND | € 1,72000 | Simile |
In magazzino: 0
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