FDS86242
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SI4532DY

Codice DigiKey
SI4532DYTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4532DYCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4532DYDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI4532DY
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 3,9 A, 3,5 A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,9 A, 3,5 A
RDSon (max) a Id, Vgs
65mohm a 3,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
235pF a 10V
Potenza - Max
900mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 16 786
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,33000€ 1,33
10€ 0,84000€ 8,40
100€ 0,55990€ 55,99
500€ 0,43952€ 219,76
1 000€ 0,40078€ 400,78
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,35885€ 897,12
5 000€ 0,33293€ 1 664,65
7 500€ 0,31973€ 2 397,97
12 500€ 0,31568€ 3 946,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,62260