
SI4532DY | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4532DYTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4532DYCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4532DYDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4532DY |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 3,9 A, 3,5 A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3,9 A, 3,5 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 65mohm a 3,9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 15nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 235pF a 10V | |
Potenza - Max | 900mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,33000 | € 1,33 |
| 10 | € 0,84000 | € 8,40 |
| 100 | € 0,55990 | € 55,99 |
| 500 | € 0,43952 | € 219,76 |
| 1 000 | € 0,40078 | € 400,78 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,35885 | € 897,12 |
| 5 000 | € 0,33293 | € 1 664,65 |
| 7 500 | € 0,31973 | € 2 397,97 |
| 12 500 | € 0,31568 | € 3 946,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,33000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,62260 |



