SI9407BDY-T1-GE3
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SI4532CDY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4532CDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4532CDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4532CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI4532CDY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 6 A, 4,3 A 2,78W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI4532CDY-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6 A, 4,3 A
RDSon (max) a Id, Vgs
47mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
305pF a 15V
Potenza - Max
2,78W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 14 097
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,92000€ 0,92
10€ 0,57400€ 5,74
100€ 0,37600€ 37,60
500€ 0,29050€ 145,25
1 000€ 0,26297€ 262,97
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,23315€ 582,88
5 000€ 0,21471€ 1 073,55
7 500€ 0,20532€ 1 539,90
12 500€ 0,19477€ 2 434,62
17 500€ 0,18893€ 3 306,27
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,92000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,12240