Name: NTZD3155CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZD3155CT1GOSTR-ND
Price: 0.549 EUR
Availability: InStock

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NTZD3155CT1G
Codice DigiKey	NTZD3155CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTZD3155CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTZD3155CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTZD3155CT1G
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 540mA, 430mA 250mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTZD3155CT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	540mA, 430mA
RDSon (max) a Id, Vgs	550mohm a 540mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2,5nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	150pF a 16V
Potenza - Max	250mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	SOT-563
Codice componente base	NTZD3155

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Nastrato in bobina (TR)