Name: NVMFS5C670NLWFAFT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5C670NLWFAFT1GOSTR-ND
Price: 3.0744 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NVMFS5C670NLWFAFT1G
Codice DigiKey	NVMFS5C670NLWFAFT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMFS5C670NLWFAFT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMFS5C670NLWFAFT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS5C670NLWFAFT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 17 A (Ta), 71 A (Tc) 61W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 61W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Ta), 71 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RDSon (max) a Id, Vgs 6,1mohm a 35A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2V a 53µA	Codice componente base NVMFS5