Name: NVMFS5C645NLWFAFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5C645NLWFAFT1GTR-ND
Price: 4.0504 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NVMFS5C645NLWFAFT1G
Codice DigiKey	488-NVMFS5C645NLWFAFT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFS5C645NLWFAFT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS5C645NLWFAFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS5C645NLWFAFT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 22 A (Ta) 79W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2200 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22 A (Ta)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 50A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA	Codice componente base NVMFS5