Canale N 60 V 120 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
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RS6L120BGTB1

Codice DigiKey
846-RS6L120BGTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-RS6L120BGTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-RS6L120BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RS6L120BGTB1
Descrizione
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 120 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,7mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3520 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
104W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSOP
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
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In magazzino: 1 147
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,75000€ 3,75
10€ 2,47000€ 24,70
100€ 1,74630€ 174,63
500€ 1,60268€ 801,34
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 1,30939€ 3 273,47
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,75000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,57500