Name: NTS2101PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTS2101PT1GOSTR-ND
Price: 0.5978 EUR
Availability: InStock

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NTS2101PT1G
Codice DigiKey	NTS2101PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTS2101PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTS2101PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTS2101PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 8 V 1,4 A (Ta) 290mW (Ta) A montaggio superficiale SC-70-3 (SOT323)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTS2101PT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.4 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 640 pF @ 8 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 290mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 8 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,4 A (Ta)	Contenitore del fornitore SC-70-3 (SOT323)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro SC-70, SOT-323
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 1A, 4,5V	Codice componente base NTS2101