Name: SI1308EDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1308EDL-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6466 EUR
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SI1308EDL-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1308EDL-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1308EDL-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1308EDL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1308EDL-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,4 A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) A montaggio superficiale SC-70-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI1308EDL-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4.1 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 105 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore SC-70-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,4 A (Tc)	Contenitore/involucro SC-70, SOT-323
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Codice componente base SI1308
RDSon (max) a Id, Vgs 132mohm a 1,4A, 10V