Name: NTMFS5C673NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NTMFS5C673NLT1GOSTR-ND
Price: 0.9028 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NTMFS5C673NLT1G
Codice DigiKey	NTMFS5C673NLT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMFS5C673NLT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMFS5C673NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS5C673NLT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 50 A (Tc) 3,6W (Ta), 46W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMFS5C673NLT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	9,2mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 35µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	880 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,6W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base	NTMFS5

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 5 784

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)