Name: NTJD4105CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTJD4105CT1GOSTR-ND
Price: 0.4514 EUR
Availability: InStock

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NTJD4105CT1G
Codice DigiKey	NTJD4105CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTJD4105CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTJD4105CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTJD4105CT1G
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTJD4105CT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V, 8V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	630mA, 775mA
RDSon (max) a Id, Vgs	375mohm a 630mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	46pF a 20V
Potenza - Max	270mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Codice componente base	NTJD4105

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Nastrato in bobina (TR)