Name: NTMYS4D1N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMYS4D1N06CLTWGTR-ND
Price: 2.6352 EUR
Availability: InStock

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NTMYS4D1N06CLTWG
Codice DigiKey	488-NTMYS4D1N06CLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMYS4D1N06CLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMYS4D1N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMYS4D1N06CLTWG
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 22 A (Ta), 100 A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK4 (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 80µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2200 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 79W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK4 (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-1023, 4-LFPAK
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 50A, 10V	Codice componente base NTMYS4