Name: DMG1016UDW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1016UDW-7DITR-ND
Price: 0.4026 EUR
Availability: InStock

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DMG1016UDW-7
Codice DigiKey	DMG1016UDW-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG1016UDW-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG1016UDW-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG1016UDW-7
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 1,07A, 845mA 330mW A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMG1016UDW-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,07A, 845mA
RDSon (max) a Id, Vgs	450mohm a 600mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,74nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	60,67pF a 10V
Potenza - Max	330mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SOT-363
Codice componente base	DMG1016

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Nastrato in bobina (TR)