Name: MMBT5551LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT5551LT1GOSTR-ND
Price: 0.1586 EUR
Availability: InStock

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MMBT5551LT1G
Codice DigiKey	MMBT5551LT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MMBT5551LT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MMBT5551LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MMBT5551LT1G
Descrizione	TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 160 V 600 mA 225 mW A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MMBT5551LT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	NPN
Corrente - Collettore (Ic) max	600 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	160 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	200mV a 5mA, 50mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	100nA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	80 a 10mA, 5V
Potenza - Max	225 mW
Frequenza - Transizione	-
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Codice componente base	MMBT5551

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)