Name: FQD3P50TM
Brand: onsemi
SKU: FQD3P50TMTR-ND
Price: 2.2204 EUR
Availability: InStock

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FQD3P50TM
Codice DigiKey	FQD3P50TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD3P50TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD3P50TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD3P50TM
Descrizione	MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 500 V 2,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 660 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,1 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQD3P50
RDSon (max) a Id, Vgs 4,9ohm a 1,05A, 10V