Name: FQD3P50TM
Brand: onsemi
SKU: FQD3P50TMTR-ND
Price: 2.1106 EUR
Availability: InStock

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FQD3P50TM
Codice DigiKey	FQD3P50TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD3P50TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD3P50TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD3P50TM
Descrizione	MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 500 V 2,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,9ohm a 1,05A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	660 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FQD3P50