Name: FCD4N60TM
Brand: onsemi
SKU: FCD4N60TMTR-ND
Price: 2.7084 EUR
Availability: InStock

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FCD4N60TM
Codice DigiKey	FCD4N60TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FCD4N60TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FCD4N60TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCD4N60TM
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 3,9 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FCD4N60TM Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16.6 nC @ 10 V
Serie SuperFET™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 540 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCD4N60
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 2A, 10V